Τι είναι ο υπερηχητικός φωτοανθεκτικός ψεκασμός;

Ο εξοπλισμός επίστρωσης φωτοανθεκτικού υπερήχων είναι μια εξειδικευμένη συσκευή για επίστρωση φωτοανθεκτικής επίστρωσης που βασίζεται στην τεχνολογία ψεκασμού υπερήχων. Χρησιμοποιείται κυρίως σε τομείς κατασκευής ακριβείας όπως ημιαγωγοί, πάνελ, γκοφρέτες, MEMS και φωτοβολταϊκά. Ψεκάζει το φωτοανθεκτικό υλικό σε εξαιρετικά λεπτά σταγονίδια μεγέθους νανο/μικρο-, ψεκάζοντάς τα ομοιόμορφα στην επιφάνεια υποστρωμάτων όπως γκοφρέτες και γυάλινα υποστρώματα, αντικαθιστώντας τις παραδοσιακές διαδικασίες περιστροφής-επικάλυψης και εμβάπτισης{4}}.

 

Με απλά λόγια, είναι ο βασικός εξοπλισμός στο "στάδιο επίστρωσης αντίστασης" της διαδικασίας φωτολιθογραφίας, με πλεονεκτήματα όπως υψηλή ακρίβεια, υψηλή ομοιομορφία, χαμηλή κατανάλωση αντίστασης και χωρίς ελαττώματα στροβιλισμού/παχιάς ακμής, καθιστώντας τον κατάλληλο για τις απαιτήσεις φωτοανθεκτικής επίστρωσης προηγμένων διεργασιών.

 

Βασικά τεχνολογικά πλεονεκτήματα(σε σύγκριση με την παραδοσιακή επίστρωση περιστροφής/βύθισης)

Η φωτοανθεκτική επίστρωση είναι ένα κρίσιμο βήμα πριν{0}}της διαδικασίας στη φωτολιθογραφία και η ομοιομορφία του πάχους του φιλμ επηρεάζει άμεσα την ακρίβεια της φωτολιθογραφίας. Τα βασικά πλεονεκτήματα του εξοπλισμού ψεκασμού υπερήχων ξεπερνούν κατά πολύ αυτά των παραδοσιακών διεργασιών, κάτι που είναι και ο κύριος λόγος για την ευρεία υιοθέτησή του σε προηγμένες διαδικασίες παραγωγής.

 

1. Εξαιρετικά-υψηλή ομοιομορφία επίστρωσης:Ομοιομορφία πάχους μεμβράνης Λιγότερο ή ίσο με ±1%, εξαλείφοντας τα "παχιά άκρα και τα κοίλα κέντρα" της επίστρωσης περιστροφής, κατάλληλη για τις απαιτήσεις φωτολιθογραφίας προηγμένων διεργασιών όπως 7nm/5nm.

 

2. Εξαιρετικά χαμηλή κατανάλωση φωτοανθεκτικού:Η επίστρωση περιστροφής έχει ποσοστό χρήσης φωτοανθεκτικού μόνο 10~20%, ενώ ο ψεκασμός με υπερήχους μπορεί να φτάσει το 80~95%, μειώνοντας σημαντικά το κόστος του φωτοανθεκτικού (ένα αναλώσιμο υψηλού-κόστους).

 

3. Ευρεία ελεγχόμενη περιοχή πάχους φιλμ:Δυνατότητα επίστρωσης λεπτών υμενίων από 10nm έως 100μm, κατάλληλο τόσο για εξαιρετικά λεπτά όσο και για παχιά φωτοανθεκτικά στρώματα (π.χ. φωτολιθογραφία συσκευασίας, φωτολιθογραφία βαθιάς οπής MEMS).

 

4. Χωρίς μηχανική καταπόνηση:Χωρίς φυγόκεντρη δύναμη ή περιστροφή υποστρώματος υψηλής-ταχύτητας, αποφυγή στρέβλωσης και ρωγμών πλακιδίων/υποστρώματος, κατάλληλο για εύθραυστα υποστρώματα (π.χ. εξαιρετικά λεπτές γκοφρέτες, εύκαμπτα υποστρώματα).

 

Προσαρμόζεται σε πολύπλοκα υποστρώματα:Προσαρμόζεται σε πολύπλοκα υποστρώματα: Μπορεί να επικαλύψει μη-επίπεδα υποστρώματα, βαθιές οπές/ αυλακωτά υποστρώματα, υποστρώματα μεγάλης-επιφάνειας και ακανόνιστα σχήματα που δεν μπορούν να υποστούν επεξεργασία με επίστρωση περιστροφής

 

Φιλικό προς το περιβάλλον και-χωρίς ρύπανση:Χαμηλή κατανάλωση κόλλας, εξαιρετικά χαμηλός όγκος υγρών αποβλήτων καυσαερίων, χωρίς πιτσίλισμα ομίχλης κόλλας όπως στην επίστρωση περιστροφής, που πληρούν τις απαιτήσεις καθαρής παραγωγής.